簡(jiǎn)要描述:賀德克HYDAC壓力傳感器由碳原子和硅原子組成。利用離子注入摻雜技術(shù)將碳原子注入單晶硅內(nèi),便可獲得優(yōu)質(zhì)的立方體結(jié)構(gòu)的SiC。隨著摻雜濃度的差異得到的晶體結(jié)構(gòu)不同,可表示為β-SiC。β表示不同形態(tài)的晶體結(jié)構(gòu)。用離子注入法得到的SiC材料,自身的物理、化學(xué)及電學(xué)特性優(yōu)異,表現(xiàn)出高強(qiáng)度、大剛度、內(nèi)部殘余應(yīng)力很低、化學(xué)惰性*、較寬的禁帶寬度(近乎硅的1-2倍)及較高的壓阻系數(shù)的特性;因此,SiC材料
產(chǎn)品目錄
品牌 | HYDAC/德國(guó)賀德克 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 文體,石油,電子,冶金,航天 |
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賀德克HYDAC壓力傳感器由碳原子和硅原子組成。利用離子注入摻雜技術(shù)將碳原子注入單晶硅內(nèi),便可獲得優(yōu)質(zhì)的立方體結(jié)構(gòu)的SiC。隨著摻雜濃度的差異得到的晶體結(jié)構(gòu)不同,可表示為β-SiC。β表示不同形態(tài)的晶體結(jié)構(gòu)。用離子注入法得到的SiC材料,自身的物理、化學(xué)及電學(xué)特性優(yōu)異,表現(xiàn)出高強(qiáng)度、大剛度、內(nèi)部殘余應(yīng)力很低、化學(xué)惰性*、較寬的禁帶寬度(近乎硅的1-2倍)及較高的壓阻系數(shù)的特性;因此,SiC材料能在高溫下耐腐蝕、抗輻射,并具有穩(wěn)定的電學(xué)性質(zhì)。賀德克HYDAC壓力傳感器非常適合在高溫、惡劣環(huán)境下工作的微機(jī)電選擇使用。
賀德克HYDAC壓力傳感器可調(diào)的電阻率特性、可調(diào)的溫度系數(shù)、較高的應(yīng)變靈敏系數(shù)及能達(dá)到準(zhǔn)確調(diào)整阻值的特點(diǎn)。所以在研制微傳感器和微執(zhí)行器時(shí),利用多晶硅膜這些電學(xué)特性,有時(shí)比只用單晶硅更有價(jià)值。例如,利用機(jī)械性能優(yōu)異的單晶硅制作感壓膜片,在其上覆蓋一層介質(zhì)膜SiO2,再在SiO2上淀積一層多晶硅壓阻膜。這種混合結(jié)構(gòu)的微型壓力傳感器,賀德克HYDAC壓力傳感器發(fā)揮了單晶硅和多晶硅材料各自的優(yōu)勢(shì),其工作高溫至少可達(dá)200℃,甚至300℃;低溫為-60℃。
賀德克HYDAC壓力傳感器具有較高的強(qiáng)度/密度比和較高的剛度/密度比。單晶硅具有很好的熱導(dǎo)性,是不銹鋼的5倍,而熱膨脹系數(shù)則不到不銹鋼的1/7,能很好地和低膨脹Invar合金連接,并避免熱應(yīng)力產(chǎn)生。單晶硅為立方晶體,是各向異性材料。許多機(jī)械特性和電子特性取決于晶向,如彈性模量和壓阻效應(yīng)等。單晶硅的電阻應(yīng)變靈敏系數(shù)高。在同樣的輸入下,可以得到比金屬應(yīng)變計(jì)更高的信號(hào)輸出,一般為金屬的10-100倍,能在10^-6級(jí)甚至10^-8級(jí)上敏感輸入信號(hào)。賀德克HYDAC壓力傳感器硅材料的制造工藝與集成電路工藝有很好的兼容性,便于微型化、集成化及批量生產(chǎn)。硅可以用許多材料覆蓋,如氮化硅,因而能獲得優(yōu)異的防腐介質(zhì)的保護(hù)。具有較好的耐磨性。
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