簡(jiǎn)要描述:賀德克HYDAC壓力傳感器使硅材料成為制造微機(jī)電和微機(jī)械結(jié)構(gòu)zui主要的優(yōu)選材料。但是,硅材料對(duì)溫度極為敏感,其電阻溫度系統(tǒng)接近于2000×10^-6/K的量級(jí)。因此,凡是基于硅的壓阻效應(yīng)為測(cè)量原理的傳感器,必須進(jìn)行溫度補(bǔ)償,這是不利的一面;而可利用的一面則是,在測(cè)量其他參數(shù)的同時(shí),可以直接對(duì)溫度進(jìn)行測(cè)量。不同晶粒有不同的單晶取向,而每一晶粒內(nèi)部有單晶的特征。晶粒與晶粒之間的部位叫做晶界,晶界對(duì)
產(chǎn)品目錄
品牌 | HYDAC/德國(guó)賀德克 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 石油,印刷包裝,冶金,航天,制藥 |
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賀德克HYDAC壓力傳感器使硅材料成為制造微機(jī)電和微機(jī)械結(jié)構(gòu)zui主要的優(yōu)選材料。但是,硅材料對(duì)溫度極為敏感,其電阻溫度系統(tǒng)接近于2000×10^-6/K的量級(jí)。因此,凡是基于硅的壓阻效應(yīng)為測(cè)量原理的傳感器,必須進(jìn)行溫度補(bǔ)償,這是不利的一面;而可利用的一面則是,在測(cè)量其他參數(shù)的同時(shí),可以直接對(duì)溫度進(jìn)行測(cè)量。不同晶粒有不同的單晶取向,而每一晶粒內(nèi)部有單晶的特征。晶粒與晶粒之間的部位叫做晶界,晶界對(duì)其電特性的影響可以通過(guò)摻雜原子濃度調(diào)節(jié)。賀德克HYDAC壓力傳感器多晶硅膜一般由低壓化學(xué)氣相淀積(LPVCD)法制作而成,其電阻率隨摻硼原子濃度的變化而發(fā)生較大變化。多晶硅膜的電阻率比單晶硅的高,特別在低摻雜原子濃度下,多晶硅電阻率迅速升高。隨摻雜原子濃度不同,其電阻率可在較寬的數(shù)值范圍內(nèi)變化。
賀德克HYDAC壓力傳感器為單晶硅電阻應(yīng)變靈敏系數(shù)zui大值的1/3;橫向應(yīng)靈敏系數(shù),其值隨摻雜濃度出現(xiàn)正負(fù)變化,故一般都不采用。此外,與單晶硅壓阻相比,多晶硅壓阻膜可以在不同的材料襯底上制作,如在介電體(SiO2、Si3N4)上。其制備過(guò)程與常規(guī)半導(dǎo)體工藝兼容,且無(wú)PN結(jié)隔離問(wèn)題,因而適合更高工作溫度(t≥200℃)場(chǎng)合使用。在相同工作溫度下,賀德克HYDAC壓力傳感器多晶硅壓阻膜與單晶硅壓阻膜相比,可更有效地抑制溫度漂移,有利于長(zhǎng)期穩(wěn)定性的實(shí)現(xiàn)。多晶硅電阻膜的準(zhǔn)確阻值可以通過(guò)光刻手段獲得。
賀德克HYDAC壓力傳感器可調(diào)的電阻率特性、可調(diào)的溫度系數(shù)、較高的應(yīng)變靈敏系數(shù)及能達(dá)到準(zhǔn)確調(diào)整阻值的特點(diǎn)。所以在研制微傳感器和微執(zhí)行器時(shí),利用多晶硅膜這些電學(xué)特性,有時(shí)比只用單晶硅更有價(jià)值。例如,利用機(jī)械性能優(yōu)異的單晶硅制作感壓膜片,在其上覆蓋一層介質(zhì)膜SiO2,再在SiO2上淀積一層多晶硅壓阻膜。這種混合結(jié)構(gòu)的微型壓力傳感器,賀德克HYDAC壓力傳感器發(fā)揮了單晶硅和多晶硅材料各自的優(yōu)勢(shì),其工作高溫至少可達(dá)200℃,甚至300℃;低溫為-60℃。
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